当前位置: 首页 > 双创资讯 > 公告通知 > 正文

授课教师:柳月波

教师简介:

柳月波,高级工程师,2021年获得中山大学光学工程博士学位,现就职于工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室,从事先进半导体电子器件和光电子器件的可靠性研究,负责十四五专题等多个项目。在多沟道AlGaN/GaN器件特性、AlGaN/GaN异质结表面态分布等方面成果丰硕。

课程简介:

本课程分为三个主要部分,第一部分主要讲授GaN基电子器件技术发展现状和技术创新概况、GaN、GaAs、SiC在微波射频、功率器件等领域的应用前景和比较。第二部分主要讲授宽禁带半导体的材料特性和表征方法、二维电子气的形成机理、GaN基HEMT和THz肖特基二极管的制备方法。第三部分主要讲授HEMT型pH传感器和GaN基THz肖特基二极管的器件特性、仿真分析方法、器件的可靠性评价方法。

上一篇: 《宽禁带半导体器件与应用》课程介绍

下一篇: 《新型显示技术与应用》课程介绍